数据中心决定需要使用什么NAND闪存，主要出发点在于其功耗、擦写寿命和随机写入性能。NAND闪存主要分为SLC单层存储单元、MLC多层存储单元和TLC三种类别，而这三种类别也分别适用与不同的使用环境。

　　SLC单层单元的结构简单但是执行效率高。SLC闪存的优点是传输速度更快，功率消耗更低，并且复写次数高达10万次。SLC闪存在企业级SSD上比较常见，但同样的SLC闪存的成本也较MLC高出3倍有余。

　　MLC多层单元的每一个单元存储两位，相比起来传统的SLC仅能存储一位。但其需要的访问时间更多，速度及可靠性也稍逊。MLC闪存约可达到5000-10000次的擦写寿命，多用于消费级SSD。

　　TLC也称为8LC，相比前两者其速度慢、寿命短、擦写寿命约500次，成本相对较低。多用于U盘或存储卡等移动存储设备上。

　　虽然MLC较多用于消费级的SSD，但随着存储技术的发展，目前也有越来越多的MLC企业级SSD产品面世。各厂商也分别结合各自的最新技术提升MLC闪存SSD的随机读写性能，逐步取代SLC SSD在企业应用中的位置。

　　然而目前大多数厂商使用MLC的原因是因为他们的存储控制器速度非常慢，限制性能的不是闪存而是控制器。因此，如果他们用MLC 固态硬盘取代SLC固态硬盘，那么将很少有性能的提高。